実際に、材料伝送の高エネルギー陽子ビームは、ユニークなブラッグピークを持って、単純にエネルギーの損失の伝送プロセスの陽子は、伝送距離の後、一般的に非常に小さいです陽子ビームは、主に堆積したエネルギーのほとんど最後に。したがって、この特性は、健康な細胞をよく保護しながら、癌細胞を殺すために最終的に高エネルギーを有効に使用する、身体の癌の治療に有用である。実際には、国内外の伝統的な加速器のプロトンナイフ腫瘍治療に基づいて大きな進歩を遂げている。コストは非常に広げることが難しいためです。今回は、加速勾配（粒子獲得エネルギーの単位長さ）のために、高品質の陽子ビームの形成を加速する超短レーザーポインタ駆動の円偏光は、従来の加速器よりもはるかに大きく、癌の陽子メスの治療の新世代になる、この研究の結果はまた、レーザー駆動プロトンナイフプログラムが重要な一歩を踏み出したことを表しています。

現在のレーザーマーキングプロセスでは、カラーマークの上にあるステンレス鋼のファイバーレーザーの一部しか使用できません。 ファイバーレーザーマーキングマシンの主な要因は、内部要因と2つの要因の処理に分かれています。 主にレーザ周波数、レーザビームモードおよびビーム発散角、レーザパワー、補助ガス物質の処理による合理的な光学成形に関する内部要因。 初期のモデルを中心に内部要因は、注意の配分は、購入するレーザーエンジニアのアドバイスに従う必要があります。 もう1つの要因は、主にマーキング密度のために、顧客が処理に注意を払うことです。フォーマットをマーキングし、深さとレーザースポットサイズをマーキングします。

レーザの出力波長はより短い帯域をカバーし、短波長の青色レーザポインタが広く使用されている。 多くの高度な製造プロセスでは、スマートフォンの製造などの低温加工が必要であり、しばしば短波長短パルスUVレーザを使用して対処する必要があります。 短波長レーザは、表面マーキング、半導体ウェハ加工、穿孔、切断および他の分野で広く使用されている。 レーザーのパルス速度はますます高速化しており、超高速レーザーは急速に開発されています。 構造が簡単で、操作が簡単で、コストが低く、安定した性能を発揮するため、工業用アプリケーションに使用されています。

基板材料としてサファイア、LEDチップの生産に広く使用されている場合、従来の切削工具は切断要件を満たすことができませんでした、メーカーは355nmと266nm短波長ナノ秒レーザースクライビング、サファイアウエハーの処理を使用している サファイア基板のLEDスケール製造において、サファイア切断の難しさを解決し、狭小な切削チップのLED産業要件を満たし、高品質の切断を保証することができる。 青緑色LEDチップ技術の開発と規模の拡大に伴い、レーザ切断装置の需要がますます高まっており、レーザ装置サプライヤは装置をアップグレードする必要がありました。